PUMD6,115 دیتاشیت

PUMD6,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PUMD6,115
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت PUMD6,115

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: Nexperia PUMD6,115
  • Transistor Type: 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@1mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 1uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 100mV@250uA,5mA
  • Package: SOT-323-6
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه